גבישים בודדים של SiC- באיכות גבוהה מוכנים בעיקר על ידי הובלת אדים פיזית (PVT) ותצהיר כימי בטמפרטורה- גבוהה (HTCVD). שיטת PVT מבצעת סובלימציה של אבקת מקור SiC בטמפרטורה גבוהה, וגורמת לרכיבים בה להתעבות על פני גביש הזרע כדי להצמיח גבישי SiC בודדים באיכות גבוהה-. שיטת HTCVD מסנתזת גבישי SiC בטמפרטורות גבוהות באמצעות שקיעת אדים כימית.
